1樓：匿名使用者
理論上來說c2電容的值大於c1的，可以讓電路更快啟振，試試c1用27p，c2用30p
2樓：匿名使用者
不起振不一併段裂定是電容容量絕閉的問題燃茄，幾乎所有的微控制器這兩個電容都是30p，沒發現什麼問題啊。你換一下晶振看看。
如何選擇微控制器晶振上面的電容
3樓：有學問的免子
原理上講直接將晶振接到微控制器上，微控制器就可以工作。但這樣構成的振盪電路中會產生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波),這個波對電路的影響不大，但會降低電路的時鐘振盪器的穩定性。 為了電路的穩定性起見，建議在晶振的兩引腳處接入兩個瓷片電容接地來削減偕波對電路的穩定性的影響，所以晶振必須配有起振電容，但電容的具體大小沒有什麼 普遍意義上的計算公式，不同晶元的要求不同。
1）：因為每一種晶振都有各自的特性，所以最好按製造廠商所提供的數值選擇外部元器件。
2）：在許可範圍內，c1,c2值越低越好。c值偏大雖有利於振盪器的穩定，但將會增比較常用的為15p-30p之間。
如何確定晶振的負載電容
4樓：丹仔的
pic微控制器12m推薦值22p等，個人沒有研究過，只是很多經驗值，這個電容一般在30p一下，如果起振不夠理想的話，可以改變匹配電容試試，也可以在輸入輸出兩腳加個1~10m的電阻！
5樓：網友
這要根據晶振的使用電路來決定，通常由電路所配置的負載來決定。所接的電容越大，負載電容就越大。
6樓：網友
晶振的負載電容：晶振線路兩旁電容c1，c2。晶振匹配電容選擇：[（c1*c2）/（c1+c2）]+4~6pf)雜散電容。
7樓：網友
【晶振中的負載電容的作用】晶振負載電容值指的是晶振的交流電路中參與振盪與晶振串聯或者並聯的負載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負載電容參與電路振盪，肯定會對頻率多少起到微調作用。負載電容值越小，振盪電路就會反而越高。
比如：49s-12mhz的負載電容是20pf（國標負載），說明晶振本身的諧振頻率小於12mhz，要是想讓20pf的電路參與振盪，頻率就會自然公升高到12mhz，也許這時候會有人說，為何不如將這款晶振直接做到12mhz而不用負載電容呢？當然，這樣的晶振也是有的，但實際電路的設計中會採用多種振盪形式，為了振盪反饋的訊號相移等問題，所以大部分電路中都會有負載電容參與振盪。
51微控制器晶振上接的電容大小該如何選擇
8樓：網友
你看看微控制器的pdf檔案就知道了，一般在微控制器的晶振部分的說明上面就寫上了電容的大小。而且還需要知道你自己以後做板子是做貼片的還是直插的，有些電容大小的器件是沒有的。
9樓：網友
晶振越大電容越小，2-25m用〈=47pf，26-43m用〈=10pf，晶振大於10m時一般要配電阻，4，7k左右。
6m和12m都用20pf的就可以。
10樓：向天致信
bai一般用的是15p和30p，晶振大小。
du影響不zhi
大。51微控制器是對所有相容daointel 8031指令系統的單片回機的統稱答。該系列微控制器的始祖是intel的8031微控制器，後來隨著flash rom技術的發展，8031微控制器取得了長足的進展，成為應用最廣泛的8位微控制器之一，其代表型號是atmel公司的at89系列，它廣泛應用於工業測控系統之中。
常用的4m和12m，以及和20m，24m，都用的30p，微控制器內部有相應的整形電路。
51微控制器是基礎入門的乙個微控制器，還是應用最廣泛的一種。需要注意的是52系列的微控制器一般不具備自程式設計能力。
11樓：南窗倚
20p--30p的就可以了。這個沒有什麼好說的。我做了好多板子了。就 是這麼上的。沒有出現過任何問題。
ic旁邊的晶振和電容怎麼選擇?
12樓：糜虹穎考融
晶振只能選擇相同頻率的，沒有其他選擇，電容的大小對頻率只有微調作用，無法改變晶振頻率。
電容和晶振的區別
13樓：無法無天的漢子
電容是指在給定電位差下的電荷儲藏量。
晶振用一種能把電能和機械能相互轉化的晶體在共振的狀態下工作，以提供穩定，精確的單頻振盪。
電容亦稱作「電容量」，是指在給定電位差下的電荷儲藏量，記為c，國際單位是法（f）。一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。
晶振是利用石英晶體（二氧化矽的結晶體）的壓電效應制成的一種諧振器件，它的基本構成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個對應面上塗敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振。
14樓：網友
**是晶體的等效電路。晶體工作時，是壓電效應和逆壓電效應同時作用，並不僅僅是充放電那麼簡單。
晶振要配多大電容?
15樓：韐嶓鹼
這要根據晶振的規格和電路中的因素來確定，同是16mhz的晶體諧振器，其負載電容值有可能不一樣，如10pf,20pf...負載電容值是在其生產加工過程中確定的，無法進行改變。購買晶振時應該能得到準確的規格書。
晶振在電路中使用時，應滿足cl=c+cs.
cl為規格書中晶振的負載電容值，c為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串並聯關係得到),cs為電路的分佈電容，這和電路的設計，元器件分佈等因素有關，值不確定，一般為3到5pf.所以根據以上公式就可以大概推算出應該使用的電容值，而且這一電容值可以使晶振工作在其標稱頻率附近。
ic旁邊的晶振和電容怎麼選擇?
16樓：匿名使用者
的晶振是為了微控制器和電腦進行串列埠通訊專用的晶振，使用其他頻率的無法與電腦串列埠對接！如果你是微控制器單機工作的就不用考慮這些了。
ic的晶振選擇很廣！廠家pdf檔一般都會標出ic的最高工作頻率，這樣在最高工作頻率以下的晶振都可以使用，只是執行速度快慢的問題，完全可以根據設計境況來選擇，例如設計汽車電噴ecu時，就可以要最快的執行速度，設計用於時鐘電路時可以慢慢來，這樣ic就擴大了使用條件，所以ic廠家一半不會固定給出晶振頻率。
晶振的電容選擇，一般工作條件不用新增，電容選擇也是隨意型很大的！在8~47pf都可以使用，一般頻率越高容量越小。十幾兆的用30p 就完全可以了！！
17樓：匿名使用者
是我們電子行業中的積體電路。通常的ic是一些在電子生產應用中普及的電路利用雷射技術整合在固定的半導體上的（主要為矽）。
18樓：匿名使用者
樓上的好厲害啊？
我同意她的看法。
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