1樓:圗瓛灧
晶元失效分析的主要步驟。
晶元開封:去除ic封膠,同時保持晶元功能的完整無損,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受損傷,為下一步晶元失效分析實驗做準備。
sem 掃瞄電鏡/edx成分分析:包括材料結構分析/缺陷觀察、元素組成常規微區分析、精確測量元器件尺寸等等。探針測試:以微探針快捷方便地獲取ic內部電訊號。
鐳射切割:以微雷射束切斷亂正線路或晶元上層特定區域。
emmi偵測:emmi微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具,提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式,可偵測和定位非常微弱的發光(可見光及近紅外光),由此捕捉各種元件缺陷或異常所產殲碧生的漏電流可見光。
obirch應用(鐳射光束誘發阻抗值變化測試):obirch常用於晶元內部高阻抗及低阻抗分析,線路漏電路徑分析。利用obirch方法,可以有效地對電路中缺陷定位,如線條中的空洞、通孔下的空洞。
通孔底部高阻區等,也能有效的檢測短路或漏電,是發光顯微技術的有力補充。
lg液晶熱點偵測:利用液晶感測到ic漏電處分子排列重組,在顯微鏡下呈現出不同於其它區域的斑狀影像,找尋在實際分析中困擾設計人員的漏電區域(超過10ma之故障點)。
定點/非定點晶元研磨:移除植於液晶驅動晶元 pad上的金凸塊, 保持pad完好無損,以利後續分析或rebonding。
x-ray 無損偵測:檢測ic封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,pcb製程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,氏陪舉開路、短路或不正常連線的缺陷,封裝中的錫球完整性。
sam (sat)超聲波探傷:可對ic封裝內部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如:o晶元面脫層,o錫球、晶元或填膠中的裂縫,o封裝材料內部的氣孔,o各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。
關於晶元失效的難題。
對於失效分析,應用個工程師覺得這是最棘手的問題之一。因為晶元失效問題通常是在量產階段,甚至是出貨後才開始被真正意識到,此時可能僅有零零散散的幾個失效樣品,但這樣的比例足以讓品質部追著研發工程師進行乙個詳盡的原因分析。
但是由於缺乏專業的分析裝置,晶元內部設計的保密性不可能讓工程師瞭解得太多,因此對於原廠給予出來的分析報告,工程師很多時候其實處於「被動接受」的處境。
2樓:網友
一般來說,積體電路在研製、生產和使用過程中失效不可避免,隨著培亮頌人們對產品質量和配鄭可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也顯得越來越重要,通過晶元失效分析,可以幫助積體電路設計人員找到設計上的缺陷、工藝引數的不匹配或設計與操作中的不當等問題。晶元失效分析的常用方法不外乎那幾個流程,最重要的還是要藉助於各種先進精確的電子儀器鍵返。以下內容主要從這兩個方面闡述,希望對大家有所幫助。
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ps吧 解析度220 你要列印的話列印店最高是打200解析度 所以你只要做的比這個高一點就行,太大沒用的,聊 大小的話請問你們展覽場地多大,你要做多少張 展覽格局如何,具體說下,沒有的話也可以幫你規劃下,全部免費諮詢,不是剛一樓收費人士 以前歷界的畢業設計展板都是用相紙精噴,裱在kt板上。尺寸是整張...
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目前ui設計師bai 的收入現處於du高等水平 初級設計zhi水平月薪 在4500 9000元 中級水平設dao計內師的收入可上升至10000 15000元有三到四年 容以上ui設計經驗 作品質量高且具有大專案經驗的ui設計師的月薪可達15000 20000元 如果晉升到設計總監管理層,薪資待遇則可...