1樓：
1．1微機械剝離法石墨烯最早是通過微機械剝離法制得的。2004年，曼徹斯特大學geim等[1]用膠帶從石墨上剝下少量單層石墨烯片，成為石墨烯的發現者，並引發了新一波碳質材料的研究熱潮。該法雖然可以獲得質量較好的單層和雙層石墨烯，能部分滿足實驗室的研究需要，但產量和效率過低，高質量的石墨烯的規模製備成為人們追求的目標。
1．2氧化石墨還原法近年來，人們不斷的探索新方法以提高石墨烯的產量，其中氧化還原法由於其穩定性而被羨鍵羨廣泛採用。這種方法首先製備氧化石墨∞]，先將石墨粉分散在強氧化性混合酸中，例如濃硝酸和濃硫酸，然後加入高錳酸鉀或氯酸鉀強等氧化劑得到氧化石墨，再經過兄拍超聲處理得到氧化石墨烯，最後通過還原得到石墨烯。然而，氧化過程會導致大量的結構缺陷，這些缺陷即使經 1100℃退火也不能完全被消除，仍有許多羥基、環氧基、羰基、羧基的殘留。
缺陷導致的電子結構變化使石墨烯由導體轉為半導體，嚴重影響石墨烯的電學效能，制約了它的應用。但是含氧基團的存在使亮中石墨烯易於分散在溶劑中，且使石墨烯功能化，易於和很多物質反應，使石墨烯氧化物成為製備石墨烯功能複合材料的基礎。1．3石 墨層間化合物途徑石墨插層複合物是以天然鱗。
感覺這樣的提問沒有意義。
建議自己下去查查資料。
2樓：匿名使用者
施摩奇石墨烯潤滑油新增劑、石墨烯電池、石墨烯粉體等。
3樓：化學天才
你到這裡來問還不如動動手指頭自己去找一些中英文綜述。
石墨烯的製備 哪種方法最有潛力
4樓：一襲可愛風
1、微機械剝離法：
石墨烯首先由微機械剝離法制得。微機械剝離法即是用透明膠帶將高定向熱解石墨餘轎鋒片按壓到其他表面上進行多次剝離，最終得到單層或數層的石墨烯。2004年，geim，novoselov等就是通過此方法在世界上首次得到了單層石墨烯，證明了二維晶體結構在常溫下是可以存在的。
2、外延生長法：
外延生長方法包括碳化矽外延生長法和金屬催化外延生長法帆謹。碳化矽外延生長法是指在高溫下加熱sic單晶體，使得sic表面的si原子被蒸發而脫離表面，剩下的c原子通過自組形式重構，從而得到基於sic襯底的石墨烯。
3、化學氣相沉澱cvd法：
cvd法被認為最有希望製備出高質量、大面積的石墨烯，是產業化生產石墨烯薄膜最具潛力的方法。化學氣相沉澱cvd法具體過程是：將碳氫化合物甲烷、乙醇等通入到高溫加熱的金屬基底cu、ni表面，反應持續一定時間後進行冷卻，冷卻過程中在基底表面便會形成數層或單層石墨烯，此過程中包含碳原子在基底上溶解及擴散生長兩部分。
該方法與金屬催化外延生長法類似，其優點是可以在更低的溫度下進行，從而可以降低制豎晌備過程中能量的消耗量，並且石墨烯與基底可以通過化學腐蝕金屬方法容易地分離，有利於後續對石墨烯進行加工處理。
4、氧化石墨還原法：
氧化石墨還原法也被認為是目前製備石墨烯的最佳方法之一。該方法操作簡單、製備成本低，可以大規模地製備出石墨烯，已成為石墨烯製備的有效途徑。另外該方法還有乙個優點，就是可以先生產出同樣具有廣泛應用前景的功能化石墨烯--氧化石墨烯。
石墨烯的主要製備方法
5樓：話說無話可說
機械剝離、晶體外延生長、化學氧化、化學氣相沉積和有機合成。
6樓：淡煙
製備石墨烯常見的方法為機械剝離法、氧化還原法、sic外延生長法和化學氣相沉積法（cvd）。
機械剝離法是利用物體與石墨烯之間的摩擦和相對運動，得到石墨烯薄層材料的方法。這種方法操作簡單，得到的石墨烯通常保持著完整的晶體結構，但是得到的片層小，生產效率低。
氧化還原法是通過將石墨氧化，增大石墨層之間的間距，再通過物理方法將其分離，最後通過化學法還原，得到石墨烯的方法。這種方法操作簡單，產量高，但是產品質量較低。
sic外延法是通過在超高真空的高溫環境下，使矽原子昇華脫離材料，剩下的c原子通過自組形式重構，從而得到基於sic襯底的石墨烯。這種方法可以獲得高質量的石墨烯，但是這種方法對裝置要求較高。
cvd是目前最有可能實現工業化製備高質量、大面積石墨烯的方法。這種方法制備的石墨烯具有面積大和質量高的特點，但現階段成本較高，工藝條件還需進一步完善。
石墨烯主要製備方法
7樓：一蓮愛教育
1、微機械剝離法
方法：用光刻膠將早鍵其粘到玻璃襯底上，再用透明膠帶反覆撕揭，然後將多餘散銷的高定向熱解石墨去除並將粘有微片的玻璃襯底放入丙酮溶液中進行超聲，最後將單晶矽片放入丙酮溶劑中，利用範德華力或毛細管力將單層石墨烯「撈出」。
缺點：產物尺寸不易控制，無法可靠地製備出長度足夠的石墨烯，不能滿足工業化需求。
2、外延生長法
方法：在高溫下加熱sic單晶體，使得sic表面的si原子被衝睜遊蒸發而脫離表面，剩下的c原子通過自組形式重構，從而得到基於sic襯底的石墨烯。
缺點：對製備所需的sic晶面要求極高，而且在sic上生長的石墨烯難以剝離。
3、化學氣相沉積法（cvd法）
方法：將碳氫化合物甲烷、乙醇等通入到高溫加熱的金屬基底表面，反應持續一定時間後進行冷卻，冷卻過程中在基底表面便會形成數層或單層石墨烯。
缺點：製備所需條件苛刻，需要高溫高真空。成本高，生長完成後需要腐蝕銅箔的到石墨烯。
石墨烯主要製備方法
8樓：
氧化還原剝離法是鍵仿睜目前廣泛應用於製備大量石墨烯的主要方法，其基本大帆思路是在強酸性介質中氧化石墨破壞其 pi 共軛結構，於石墨層間引入含氧官能團（如羥基、酮基、醚鍵等）從而削弱層間的範德華力得到氧化石墨，再通過超聲進一步稿歲分離加入還原劑還原（也有熱還原、微波還原、電化學還原等方法）得到還原氧化石墨烯。<>
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