1樓：銀色固體
沒有新增任何雜質到半導體材料。
裡面的半導體就稱為本徵半導體。
溫度高於絕對零度。
後，本徵半導體的導帶和價帶中就有部分電子或空穴。
n：代表導電帶中電子的濃度； p：代表價電帶中空穴的濃度。
定義：ni為本徵載子濃度對於本徵半導體而言，n=p=ni<>
對給定的某乙個半導體，只要在某乙個固定的溫度下，那麼這個半導體裡面導電帶裡的電子濃度n與價電帶裡的空穴濃度p的乘積是某個固定常數，即乘積為定值，上述式子稱為質量作用定律。
2樓：有放心愛
本徵載流子濃度ni= cm n=5e4 cm-3 。
本徵載流子濃度（intrinsic carrier concentration）為本徵半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度，常用值為300k時的濃度值。
本徵載流子濃度與溫度有關，同樣材質的半導體，溫度越高，熱激發越強烈，本徵載流子濃度越高；與禁頻寬度有關，同樣的溫度下，禁頻寬度越窄，電子或空穴更容易從價帶躍遷到導帶，本徵載流子濃度越高。
所謂本徵載流子就是物質本身所固有的，而不是新增劑或者雜質引起的電流載體。
當體系主要由電子引起電導時，本徵載流子就是空穴和電子，即空穴和電子都可以充當電流的載體。
當然電子和空穴有時起相當的作用，有時則不一定。
例如在n型半導體中電子就佔據主導作用，體系中電子濃度和遷移率會更高；有些體系則更多地依賴於空穴，此時空穴的濃度和遷移率會更高些，如p型半導體。
本徵載流子的總濃度則是本徵空穴濃度與本徵電子濃度之和。
如果體系電導由離子引起，則本徵載流子就是正離子和負離子。
同樣，在不同的場合下，正負離子所起的作用是不同的。本徵載流子的濃度等於本徵正負離子濃度之和。
摻雜能改變本徵載流子的濃度嗎
3樓：宇宙訪客
不能，本徵載流子。
intrinsic carrier）就是本徵半導體。
中的載流子（電子和空穴），即不是由摻雜所產生出來的載流子。也就是說，本徵載流子是由熱激發——本徵激發所產生出來的，即是價電子。
從價帶躍遷到導帶。
而產生出來的；它們是成對產生的，所以電子和空穴的濃度始喊櫻終相等。
本徵半導體，從物理本質上來說，也就是兩種載流子數量相等、都對導電起同樣大小的半導體。因此，未摻雜的半導體是本徵半導體，但是摻有雜質的半導體在一定條件下也可能成為本徵半導體（只要兩種載流子的濃度相等）。
對於摻有雜質的n型或p型半導體，其中的多數載流子主要就是由雜質電離所提供，而其中的少數載流子則是由本徵激簡嫌發所產生的。因此，在雜質全電離情鄭咐叢況下，多數載流子濃度基本上與溫度無關，但少數載流子則隨著溫度呈指數式增大。
本徵載流子濃度隨著溫度的公升高而（）
4樓：吳主任聊健康
本徵載備散巧掘拆流子濃度隨著溫仿鍵度的公升高而（）a.增大。b.減少。
c.不變。d.指數增加。
正確答案：增大。
本徵載流子濃度與哪些因素有關?
5樓：網友
1、與溫度有關，同樣材質的半導體，溫度越高，熱激發越強烈，本徵載流子濃度越高。
2、與禁頻寬度有關，同樣的溫度下，禁頻寬度越窄，電子或空穴更容易從價帶躍遷到導帶，本徵載流子深度越高。
本徵載流子的與溫度的關係
6樓：哈比
因為本徵載流子是由本徵激發所產生的，則它的產生與熱激發有關，也與禁頻寬度有關，所以具有以下特點：一是電子濃度=空穴濃度；二是載流子濃度隨著溫度的公升高而指數式增大；三是與禁頻寬度有指數函式關係（不同半導體的本徵載流子濃度不同）。本徵載流子濃度ni與溫度t和禁頻寬度eg的關係為（與雜質無關）
ni = (ncnv)^(1/2) exp[－eg/(2kt)]在室溫下，si的ni=，gaas的ni=。
由於本徵載流子濃度ni隨著溫度的公升高而指數式增大，故在足夠高的溫度下，對於摻雜的半導體，在較高溫度下，本徵載流子濃度也都將大於雜質所提供的載流子濃度——多數載流子濃度。這就是說，即使是摻雜的半導體（除非摻雜濃度異常高），都將隨著溫度的公升高而逐漸轉變為本徵半導體（兩種載流子濃度相等）。這種半導體本徵化的作用，即將導致pn結失效，所以這實際上也就是限制所有半導體器件及其積體電路的最高工作溫度的根本原因；也因此，半導體器件的最高工作溫度也就由半導體的本徵化溫度來穩定。
本徵載流子的介紹
7樓：bb薔薇
本徵載流子，就是本徵半導體中的載流子（電子和空穴），即不是由摻雜所產生出來的載流子。
載流子濃度n一般為多大
8樓：校易搜全知道
載流子濃度n指的是單位體積內載流子的數量。在半導體物理學中，載流子濃度n和電子濃度ne以及空穴濃度nh密切相關。
在半導體中，載流子濃度n的大小取決於摻雜濃度、溫度和能帶結構等因素。摻雜濃度越高，載流子濃度n也就越大。溫度公升高時，載流子濃度n也會隨之增加。
另外，能帶結構的不同也會影響載流子濃度n的大小。
在n型半導體中，載流子濃度n主要由電子貢獻，而燃鏈在p型半導體中，載流子濃度n主要由空穴貢獻伏段物。
一般來說，在室溫下，n型半導體的載流子濃度n約為10^16 cm^-3，而p型半導體的缺液載流子濃度n約為10^15 cm^-3。值得注意的是，這只是乙個大致的估計值，具體數值還需要根據實際情況來確定。
總之，載流子濃度n的大小是半導體電學性質的關鍵因素之一，對於半導體器件的效能和應用具有重要的影響。
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