擊穿場強和壓電常數的關係

2025-04-17 10:05:25 字數 2445 閱讀 2831

1樓:小能手

不均勻電場中,空氣擊穿電壓和場強成反比。極不均棚激勻電場間隙擊穿特性分析階段。極不均勻電場氣隙中,因間隙距離手和困大,擊穿電壓主要取決於間隙距離,而與電極形狀關係不大,所以以棒-棒電極或棒一板電極作為研究極不均勻電場放電特性的典型電極。

棒極附近產生的電暈,帶電粒子定向運動,正離子向板極運動,由於速度慢,就在棒極附近形成電荷積累區,使未遊離區的電場強度增大,而導致擊穿電壓降低。

擴充套件畢念資料。

電容器在不高於擊穿電壓下工作都是安全可靠的,不要誤認為電容器只有在額定電壓下工作才是正常的。

當 pn 結的反向偏壓較高時,會發生由於碰撞電離引發的電擊穿,即雪崩擊穿。存在於半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加,直到與半導體晶格發生碰撞,碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。

新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞,如果平均每個電子(或空穴)在經過耗盡區的過程中可以產生大於 1 對的電子空穴對,那麼該過程可以不斷被加強,最終達到耗盡區載流子數目激增,pn 結髮生雪崩擊穿。

2樓:麼把西

擊穿場啟歲強和壓電常數的關兆棚系就是在不均勻電場中,空族旁則氣擊穿電壓和場強成反比。極不均勻電場間隙擊穿特性分析階段。極不均勻電場氣隙中,因間隙距離大,擊穿電壓,希望對你有幫助。

3樓:網友

介電常數:介質在外加電場時會產生感應電荷而削弱電場,原外加電場(真空中)與最終介質中電場比棗悔值即為介電常數(permeablity)。

擊穿場強:學術上被稱為「介電強度」。是指:單位厚度的遲巖御絕緣材料在擊穿之前能夠承受的最高電壓,即電場強度最大碼巖值,單位是kv/mm。

兩者之間沒有直接的關係。

電介質被擊穿,分為:固體電介質被擊穿、液體電介質被擊穿、氣體電介質被擊穿。

具體到每種電介質被擊穿,影響因素比較複雜。

例如,對於固體電介質被擊穿,分為三種形式:電擊穿、熱擊穿和電化學擊穿。雖然都是電擊穿,但其作用機理是不同的。

不管怎麼說,擊穿場強與介電常數沒什麼關係。

介電常數與擊穿場強

4樓:沙香茅泰鴻

介電常數又叫介質常數,介電係數或電容率,它是表示絕緣能力特性的乙個係數,以字母ε表示,單位為法/公尺(f/m)

定義為電位移d和電場強度。

e之比,ε=d/ε。電位移d的單位是庫/二次方公尺(c/m^2)。

乙個電容板中充入相對介電常數。

為ε的物質後電容變大ε倍。故相對介電常數εr可以用如下方式測量:首先在其兩塊極板段槐之間為真空的時候測試電容器的電容c0。然後,用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質。

後側得電容cx。然後相對介電常數可以用下式計算。

r=cx/c0

使電介質擊穿的電壓。電介質在足夠強的電場作用下將失去其介電效能成為導體,稱為電介質擊穿,所對應的電壓稱為擊穿電壓。

電介質擊穿時的電場強度叫擊穿場強。不同電介質在相同溫度下,其擊穿場強不同。當電容器介質和兩極板的距離d一定後,由u1-u2=ed知,擊穿場強決定了擊穿電壓。

擊彎中穿場強通常又稱為電介質的介電強度。提高電容器的耐壓能力起關鍵作用的是電介質的介電強度。附表為各種電介質的相對埋燃山介電常量εr和介電強度。

電介質。r擊穿場強,×106/(v·m-1)

物質的絕緣性主要考查介電常數和介電損耗因子,這2個常數決定了擊穿電壓的強度。舉個簡單的例子,物質a是氰酸酯樹脂,假設有lcm長,物質兩端鏈結高壓。

若想擊穿它。

所需場強就是εr,×106/(v·m-1)。

還有。從理論上說「介電常數越大,絕緣越好」是對的。

介電常數越大,絕緣性越大,但是絕緣性要考慮很多其他條件,比如電壓等級。

空氣溼度,電壓等級高,空氣溼度大,空氣可能被擊穿電離兒導電,介電常數只是從乙個方面說明了導電效能!空氣的介電常數接近於1,只有真空中才是標準的1.為是麼是1,有嚴格的數學推導可以證明。

氨氣的介電常數是很大,但沒有考慮水的因素,所以你才會誤認為是這樣!

為什麼要提高擊穿場強而不是提高擊穿電壓?

5樓:想喝奶茶有錯嗎

在電子學和電物理學中,擊穿場強是指材料被電場擊穿所需的最小電場強度。當材料受到電場作用時,電場能量會使電子被激發並沿著材料表面逸出,形成導電通道。然而,並非所有的電場強度都能導致材料擊穿,而是需要達到一定的閾值。

提高擊穿場強相對於提高擊穿電壓有以下優點:

降低擊穿電壓:擊穿電壓是指材料被擊穿所需的最小電壓。提高擊穿場強可以降低擊穿電壓,從而減少電場能量的需求,降低電能損失和裝置成本。

提高可靠性:降低擊穿電壓可以提高裝置讓卜的可靠性,因坦冊穗為較低的擊穿電壓可以減少裝置被擊穿的風險,從而延長裝置的使用壽命姿盯。

提高安全性:降低擊穿電壓可以提高裝置的安全性,因為較低的擊穿電壓可以減少電擊和火災等安全事故的風險。

因此,提高擊穿場強通常是比提高擊穿電壓更有效的方法,可以提高裝置的效能和安全性。

高二物理 電場強度,高二物理,電場力和場強的關係 。

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