1樓：在大峽谷聽莫扎特的雲朵
不同於少數陸逗彎載流子導電反型工作模式mos電晶體，無結場效應電晶體屬於多數載流子導電器件，能有效地指譽抑制短溝道效早悶應。更多內容請參考：
肖德元，張汝京，無結場效電晶體——新興的後cmos器件研究進展，《固體電子學研究與進展2016年02期。
2樓：
n-mosfet，p溝道的mos，電子遷移率大蘆早概只有n溝道的1/3。
故而常用n溝道。
開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈衝寬度調製（pwm）控制ic和mosfet構成。隨著電力電子技術的發展和創新，使得開關電源技術也在不斷地創新。目前，開關電源以小陪攜雀型、輕量和高效率的隱公升特點被廣泛應用幾乎所有的電子裝置，是當今電子資訊產業飛速發展不可缺少的一種電源方式。
隨著電力電子技術的高速發展，電力電子裝置與人們的工作、生活的關係日益密切，而電子裝置都離不開可靠的電源，進入80年代計算機電源全面實現了開關電源化，率先完成計算機的電源換代，進入90年代開關電源相繼進入各種電子、電器裝置領域，程式控制交換機、通訊、電子檢測裝置電源、控制裝置電源等都已廣泛地使用了開關電源，更促進了開關電源技術的迅速發展。
結型場效應電晶體的基本概念
3樓：網友
結型場效應電晶體（junction field-effect transistor，jfet）：jfet是由p-n結柵極(g)與源極(s)和漏極(d)構成的一種具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通過電壓改變溝道的導電性來實現對輸出電流的控制。
對於結型場效應電晶體（jfet），最常見到的是耗盡型jfet（d-jfet），即在0柵偏壓時就存在有溝道 的jfet；一般，不使用增強型jfet（e-jfet）——在0柵偏壓時不存在溝道 的jfet。這主要是由於長溝道e-jfet在使用時較難以產生出導電的溝道、從而導通效能不好的緣故。不過，由於高速、低功耗電路中應用的需要，有時也需要採用e-jfet。
jfet導電的溝道在體內。耗盡型和增強型這兩種電晶體在工藝和結構上的差別主要在於其溝道區的摻雜濃度和厚度。d-jfet的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大，以致於柵pn結的內建電壓不能把溝道完全耗盡；而e-jfet的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小，則柵pn結的內建電壓即可把溝道完全耗盡。
但是，對於短溝道e-jfet，情況則有所不同，因為這種電晶體的漏極電壓可以作用到源極附近，使得溝道中的勢壘降低，所以能夠形成導電溝道。這種e-jfet從本質上來說也就是靜電感應電晶體。
在導電機理上與jfet相同的場效應電晶體就是schottky柵極場效應電晶體（mesfet），這裡只是用金屬-半導體接觸的schottky結代替了p-n結作為柵極。
另外還有一種場效應電晶體，就是高電子遷移率電晶體（hemt），這種器件在結構上與mesfet類似，但是在工作機理上卻更接近於mosfet。
此外，mosfet的襯偏效應實際上也就是jfet的一種作用。
結型場效電晶體n溝道，為什麼ugd=ugs-uds
4樓：俱懷逸興壯思飛欲上青天攬明月
結型場效電晶體n溝道ugd=ugs-uds的原因：
ugd是柵極漏極之間的電壓，ugs是柵極相對於源極的電壓，uds是漏極相對於源極的電壓。所以ugs和uds就是柵極相對於漏極的電壓，即ugd。
結型場效應電晶體jfet是在同一塊n形半導體上製作兩個高摻雜的p區，並將它們連線在一起，所引出的電極稱為柵極g，n型半導體兩端分別引出兩個電極，分別稱為漏極d，源極s。結型場效應電晶體是一種具有放大功能的三端有源器件，是單極場效電晶體中最簡單的一種，它可以分n溝道或者p溝道兩種。
5樓：網友
這都不懂？
s是公共端。
結型場效應電晶體的器件特點
6樓：狶熧灴譲晬郵
jfet的特點是：①是電壓控制器件，則不需要大的訊號功率。②是多數載流子導電的器件，是所謂單極電晶體，則無少子儲存與擴散問題，速度高，噪音係數低；而且漏極電流ids的溫度關係決定於載流子遷移率的溫度關係，則電流具有負的溫度係數，器件具有自我保護的功能。
輸入端是反偏的p-n結， 則輸入阻抗大， 便於匹配。④輸出阻抗也很大， 呈現為恆流源，這與bjt大致相同。⑤jfet一般是耗盡型的，但若採用高阻襯底， 也可得到增強型jfet(增強型jfet在高速、低功耗電路中很有應用價值)；但是一般只有短溝道的jfet才是能很好工作的增強型器件。
實際上，靜電感應電晶體也就是一種短溝道的jfet。⑥溝道是處在半導體內部，則溝道中的載流子不受半導體表面的影響，因此遷移率較高、雜訊較低。
絕緣柵(mosfet)型場管能代替結型(jfet)型場管嗎？為什麼？
7樓：金牛折中
mosfet和jfet不一樣，jfet可能vgs為，而mosfet為+2v
8樓：網友
電壓不同 你去網上查下資料就能知道啊。
場效電晶體是個什麼東西?原理作用都是什麼?
9樓：wxy123456穎
場效電晶體是場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）的簡稱。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。
場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。
在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。
10樓：申城城申
場效電晶體，是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。
原理：漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id。
作用：場效電晶體可應用於放大，很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，可以用作可變電阻，可以方便地用作恆流源，可以用作電子開關。
11樓：聚成都
場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。
1、場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。一般的電晶體是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型電晶體，而fet僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109ω）、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
2、場效電晶體分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效電晶體（jfet）因有兩個pn結而得名，絕緣柵型場效電晶體（jgfet）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效電晶體中，應用最為廣泛的是mos場效電晶體，簡稱mos管（即金屬-氧化物-半導體場效電晶體mosfet）；此外還有pmos、nmos和vmos功率場效電晶體，以及最近剛問世的πmos場效電晶體、vmos功率模組等。
3、按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和p溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效電晶體又可分成耗盡型與增強型。結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應電晶體的分類？
12樓：網友
場效電晶體工作原理（1） 場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）一、場效電晶體的分類 場效電晶體分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效電晶體（
13樓：網友
場效電晶體分結型、絕緣柵型(mos)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和mos場效應電晶體，而mos場效應電晶體又分為n溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。場效電晶體分為結型場效電晶體（jfet）和絕緣柵場效電晶體（mos管）。
詳細情況請見。
結型場效應電晶體的工作特性
14樓：p煙花5月
對於耗盡型的jfet，在平衡時(不加電壓)時，溝道電阻最小；電壓vds和vgs都可改變柵p-n結勢壘的寬度，並因此改變溝道的長度和厚度（柵極電壓使溝道厚度均勻變化，源漏電壓使溝道厚度不均勻變化），使溝道電阻變化，從而導致ids變化，以實現對輸入訊號的放大。
當vds較低時，jfet的溝道呈現為電阻特性，是所謂電阻工作區，這時漏極電流基本上隨著電壓vds的增大而線性上公升，但漏極電流隨著柵極電壓vgs的增大而平方式增大；進一步增大vds時，溝道即首先在漏極一端被夾斷，則漏極電流達到最大而飽和（飽和電流搜大小決定於沒有被夾斷的溝道的電阻），這就是jfet的飽和放大區，這時jfet呈現為乙個恆流源。
jfet的放大作用可用所謂跨導gm = ids / vgss ](vds =常數) 來表示，要求跨導越大越好。
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