1樓：匿名使用者
本徵半導體是c純淨的梁毀半導體。在本徵半導渣弊體中如渣族參入微量雜質元素可提高半導體的導電能力，參雜後的半導體稱為雜質半導體。根據參入雜質的不同可分為n型半導體和p型半導體。
2樓：匿名使用者
本鏈中頃徵半導體是純淨物 沒有摻雜。
參雜半導體 摻雜棚陸培逗半導體是指在本徵半導體中摻入少量其他元素（稱為雜質）的半導體。
雜質的摻入可以使半導體的導電性發生顯著變化。根據摻雜不同，可分為n型和p型。
3樓：匿名使用者
參雜可以組成pn節，才能發揮功能作用。
什麼是本徵半導體？
4樓：南溪
本徵半導體。
實際應用最多的半導體是矽和鍺，它們原子的最外層電子（價電子）都是四個。完全純淨的、結構完整的半導體，稱為本徵半導遊彎體（晶體結構）。
1）矽和鍺的晶體結構。
在矽和鍺晶體中，原子按四角形系統組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位於四面體的頂點，每個纖納原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。
2）本徵半導體的導電機理。
a）在絕對0度和沒有外界激發時，價電子被共價鍵束縛，本徵半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），不導電，相當於絕緣體。
b）在常溫下，由於熱激發，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共神豎悶價鍵上留下乙個空位，稱為空穴。即出現電子-空穴對。溫度越高，本徵半導體的導電能力越強，溫度是影響半導體效能的乙個重要的外部因素，這是半導體的一大特點。
3）本徵半導體的導電機理。
在電場力作用下，空穴吸引臨近的電子來填補，這樣的結果相當於空穴的遷移，而空穴的遷移相當於正電荷的移動，因此認為空穴也是載流子，是帶正電的粒子。
在半導體外加電壓的作用下，出現兩部分電流：自由電子定向移動、空穴的遷移。
本徵半導體中由於電子-空穴數量極少，導電能力極低。實用時採用雜質半導體（p型、n型）。
5樓：智投製造
本徵半導體費公尺能級位於導帶底和價帶頂之間的中線上，導帶中的瞎桐自由電子和價帶中的空穴均很少，因此常溫下導電能力低，但在光和熱的激勵下導電能力增強。
n型摻雜半導體的費公尺能級接近導帶底，導帶中的自由電悶敏子數高於本徵半導體，導電能力隨摻雜濃度提高而增強，屬於電子導電為主的半導體。
p型摻雜螞神枝半導體的費公尺能級接近價帶頂，價帶中的空穴數高於本徵半導體，導電能力隨摻雜濃度提高而增強，屬於空穴導電為主的半導體。
本徵半導體是什麼
6樓：摘一口袋星星
本徵半導體是指完全不含雜質且無晶格缺陷的純淨半導體，一般是指其導電能力主要由材料的本徵激發決定的純淨半導體。
典型的本徵半導體有矽si、鍺ge及砷化鎵gaas等。
本徵半導體是指化學成分純淨的半導體，它在物理結構上有多晶體和單晶體兩種形態，製造半導體器件必須使用單晶體。製造半導體器件的半導體材料的純度要達到，常稱九個9」。在製造半導體器件的過程中會進一步提高材料的和搜寬純度，單晶體不漏埋但純度高，在晶格結構上也是沒有缺陷的，用這樣的單晶體制造的器件才能保證質量。
現象。本徵導電。
在絕對零度溫度下，半導體的價帶（valence band）是滿帶（見能帶理論），受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶（forbidden band/band gap）進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶（conduction band），價帶中缺少乙個電子後形成乙個帶正電的空位，稱為空穴（hole），導帶中的電子和喚亮價帶中的空穴合稱為電子－空穴對。
本徵半導體的特性
7樓：橋春
1. 本徵半導體的導電特性：
溫度敏感性：在一定溫度下，本徵激發所產生的自由電子與空穴對與複合的自由電子與空穴對數目相等，故達到動態平衡。換言之，在一定溫度下本徵半導體中載流子的濃度是一定的，並且自由電子與空穴的濃肆段度相等。
本徵半導體載流子的濃度是環境溫度的函式。本徵半導體的導電效能很差，且與環境溫度密切相關，半導體材料效能，對溫度的這種敏感性，既可以用來製作熱敏和光敏器件，又是造成半導體器件溫度穩定性差的原因。
摻雜性：通過擴散工藝，在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素即可得到雜質半導體，按摻入的雜質元素不同，可形成n型半導體和p型轎拍半導體，控制摻入雜質元素的濃度就可控制雜質半導體裂帆譽的導電效能。
2.本徵半導體：
純淨的，具有晶體結構的半導體稱為本徵半導體。將純淨的半導體經過一定的工藝過程製成單晶體即為本徵半導體。本徵半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電，這是半導體導電的特殊性質。
本徵半導體
8樓：小夏吧
本徵半導體如下：
本徵半導體（intrinsic semiconductor)）是完全不含雜質且無晶格缺陷的純淨半導體稱為本徵半導體。但實際半導體不能絕對的純淨，此類半導體稱為雜質半導體。
本徵半導體一般是指其導電能力主要由材料的本徵激發決定的純淨半導體。更通俗地講，完全純淨的、不含雜質的半導體稱為本徵半導體或i型半導體。主要常見代表有矽、鍺這兩種元素的單晶體結構。
本徵導電。
在絕對零度溫度下，半導體的價散轎櫻帶（valence band）是滿帶（見能帶理論），受到光電注入或熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶（forbidden band/band gap）進入能量較高的空帶，空帶中存衝叢在電子後成為導帶（conduction band），價帶中缺少乙個電子後形成乙個帶正電的空位，稱為空穴（hole）。
導帶帆舉中的電子和價帶中的空穴合稱為電子空穴對上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子（free carrier），它們在外電場作用下產生定向運動而形成巨集觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。在本徵半導體中，這兩種載流子的濃度是相等的。隨著溫度的公升高，其濃度基本上是按指數規律增長的。
什麼是本徵半導體?什麼是雜質半導體?各有什麼特徵?
9樓：考試資料網
本徵半導體就是一種純淨的半導體晶體。本徵半導體中存在兩種載流子：帶負電荷的自由電子和帶正電荷的空穴。
它們是成對出現的，也叫電子空穴對。由於兩者電荷量相等，極性相反，所以本徵半導體是電中性的。本徵半導體在外界的作用下，電子形成電子電流，空穴形成空穴電流。
雖然兩種載流子的運動方向相反，但因為它們所帶的電荷極性也相反，所以兩種電流的實際方向是相同的，它們的和就是半導體中的電流。本徵半導體中載流子的濃度，除了與半導體材料本身的性質有關以外，還與溫度和光照有關。
摻入雜質的本徵半導體叫雜質半導體。在本徵半導體中，人為地摻入少量其他元素(稱雜質)，可以使半導體的導電效能發生顯著的變化。根據摻入雜質性質的不同，可分為兩種：
電子(n)型半導體和空穴(p)型半導體。p型半導體和n型半導體均屬非本徵半導體，其中多數載流子的濃度取決於摻入的雜質元素原子的密度；少數載流子的濃度主要取決於溫度；而所產生的離子，不能在外電場作用下作漂移運動，不參與導電，不屬於載流子。當p型半導體中再摻入五價雜質元素，且其密度大於原摻入的三價雜質元素，可轉型為n型半導體；反之，n型半導體也可以通過摻入足夠的三價雜質元素而轉型為p型半導體。
半導體器件有哪些分類？半導體器件的分類
教學四部 田維娜複習 物質按導電能力分為哪幾種，代表物質都有哪些？一 導體 容易導電的物質。例 金屬 石墨 人體 大地 食鹽水溶液等常見的導體 二 絕緣體 不容易導電的物質。例 塑料 玻璃 橡膠 陶瓷 幹木頭 油 乾燥的空氣等常見的絕緣體 三 半導體 導電能力介於導體和絕緣體之間常見的半導體材料 矽...
半導體材料有哪些？常見的半導體材料有哪些
鍺 矽 硒 砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力介於導體和絕緣體之間，叫做半導體。半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關係可製成自動控制用的熱敏元件 熱敏電阻 利用它的光敏特性可製成自動控制用的光敏元件，像光電池 光電管和光敏電阻等。半導體還有一個最重要的性質，如...
什麼是N型半導體什麼是P型半導體
在半導體材料矽或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的p型半導體，摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的n形半導體。兩種半導體接觸在一起的點或面構成pn結，在接觸點或面上n型半導體多餘殼粒趨向p型半導體，並形成阻擋層或接觸電位差。當p型接正極，n型接負極，n型半導體多餘殼粒和pn結上殼粒易往正移動，且阻擋...