功率場效電晶體的驅動問題

2021-12-23 06:06:56 字數 780 閱讀 1078

1樓:匿名使用者

將前極驅動籠統的看作「驅動源」,由於功率mosfet的輸入屬於電壓驅動,必然會存在器件輸入電容,尤其在大功率,高頻率時這種輸入電容非常明顯。

為提高開關速率並降低開關損耗,可以通過改變柵極串聯電阻控制開通過程中的峰值電流,就是串聯這一電阻的意義,在執行頻率較低時,開關損耗所佔比例較小,驅動電壓的上升、下降速率可以減慢些,反之相反。

至於計算,就不用說了,根據功率,器件,頻率來計算的。這其中經驗值非常重要。不知這樣說明白沒有,呵。

2樓:機電

場效電晶體組成的h橋驅動電路

3樓:磨刀_老頭

在印象中,管子的資料引數並不是直接給出電流值,而是給出需要的柵極電荷qg值,通過一定的計算得到對驅動電路的要求。很抱歉,具體細節淡忘了,只是給一個提示,你可以再找資料看看。

4樓:

你都說了是電壓驅動器件了怎麼會有電流呢?

mosfet是這樣,vgs大於vth了,並且vds不是0,這樣d,s兩級間就會產生電流。如果vgs不到vth,或者是0,理想情況是源漏無電流,但實際情況是有亞閾值電流或叫漏電流,一般很小,當vth很小,整合度高,線度小(比如45nm技術)的時候就要考慮了,他是靜態功耗的主要**。

而理想狀態的柵極是沒有電流流向源或漏極的。但實際情況是會有柵漏電流產生,依然很小一般忽略

總之,mos和電晶體工作原理是有區別的。一個是電壓驅動,一個是電流驅動 柵級接電阻?應該還接其他位置了吧?直接串聯麼?沒見過。方便就發圖上來研究研究

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