1樓：知哥26361碧究
至少在光刻環節上是有差別的。然而差別不大（都在容忍度內）。如果差別大到足以影響cpu體制話，早停機檢查了，fab的物料、人工、時間貴到爆，絕不允許這種事發生。
同時，其他環節會糾正光刻環節造成的偏差。很多光刻環節的容忍度都是和其他環節的糾錯能力相關的。所以綜合起來體質有細微影響然而不是普通玩家需要擔心的。
詳細光刻環節的差別：縱向：大資料上，靠近圓心的影象們的對焦度比邊緣的好。
圓李宴所以刻出來的這一層線路清晰。別以為影象是乙個乙個一行一行掃出來的，就認為對焦度都一樣。其實，這個有超級多的影響因素，人類已經竭盡所能來克服那些已知的效應了。
邊緣效應無處不在，西瓜的中心甜不是白甜的。來個例子，某國高階光刻機。
矽片是吸在矽臺上的，邊緣受力和中心是不同的，矽片邊緣放大了看其實是翹擾李起來的橘銀…縱向對焦在邊緣只好默默流淚了。
橫向：靠近圓心的影象們的對準度的標準差。
比靠近邊緣的標準差好些。一般現在乙個cpu至少要反覆走十幾到幾十次光刻。我不怕我這一層我刻偏了因為下一層我偏得一樣照樣好用。
但我怕兩層之間相對偏了。標準差越小，對的越準。舉個例子：
做cpu的光刻機得是高階的吧，高階的得是浸潤式（immersion）的吧。immersion水在邊緣更容易殘留，殘留了得蒸發吧，蒸發了會降溫吧，降溫了會導致矽片形變吧。變形了水平對準就不準了吧。
2樓：外遼剪狂紫
在這個問題之前，我們得弄清所謂的"體質"是什麼意思。用於製造晶元的晶元一般都是單晶矽。在製造過程中帆轎，晶元難免會有缺陷。
所謂"體質"可以理解為單位面積內晶格缺陷的密度。目前，生產晶元的主要方法是提拉法。提拉法是將構成晶體的原料放在坩堝中加熱熔化，在熔體表面接籽晶提拉熔體，在受控條件下，使籽晶和熔體在交介面上不斷進行原子或分子的重新排列，隨降溫逐漸凝固而生長出單晶體。
生產過程中，提拉棒不斷旋轉，晶體從籽晶由內向外中巖生長。越向外排列出錯的概率越大，也就是說產生缺陷的概率越大。因此，從統計學上講，晶格缺陷的密度由內向外公升高。
對映回我們開始解釋的概念，即靠近中間的晶元體質好，外面的體質差。這還要看光刻廠用的電，比如g3258，越南用湄公河水力發電，製造的u就是大雷，都上不了4g。哥斯大黎加用的南美木炭燒的火電，因此容易出大雕，就能上8g。
德國用阿爾卑斯的雪發電，但是由於雪力不能有效地發電，所以德國光刻廠生產的g3258數量是零最近印度開發了一種雨cpu，利用乞拉朋齊的雨水作為cpu進行運算，估計其計算能力態培肆超過一百萬億個天河二，其基本原理是：雨水是導體，雨水之間的空氣是非導體，因此下雨的那塊天空整體可以看做乙個半導體。其實做晶片其實就像蒸饅頭一樣。
同樣的步驟，你蒸出來就是死麵的疙瘩，為什麼，你是否知道蒸饅頭時開著抽油煙機，蒸出來的品質都有變化。何況蒸晶元。至於中間的是否品質更好，我不專業，但是我認為一定有些許區別，這個和氣壓，溫度等環境都有影響。
你說他是風水學，也不為過。<>