1樓：書海火
但氧化鋁屬於離子晶體，電解熔融改晶體可以得到金屬鋁和氧氣。
氧化鋁是原子晶體，共價化合物，不溶於水為何又是強電解質
2樓：貿秀榮濯媚
你首先要弄清楚什麼是強電解質？強電解質就是溶於水的那部分完全電離或在熔融狀態下能夠電離出離子的化合物，氧化鋁高溫下能電離出離子當然算是強電解質羅！
3樓：六新蘭褒璧
氧化鋁的的電解是真正意義上的「熔融電解」嗎？其實，熔融的是冰晶石，氧化鋁只是分散質，分散於液態的冰晶石中而已，熔液中的陰離子是複雜的原子團，並非簡單氧離子。
意思是說氧化鋁是在冰晶石的作用下電離，加入冰晶石的作用只是為了降低氧化鋁的熔點，從而節約能源，而並沒有說氧化鋁單獨熔化不能導電。
所謂強電解質是說其在熔融狀態下導電，但在熔融狀態下導電的只有離子晶體，也就是說氧化鋁根據結構分是原子晶體，根據在熔融狀態下導電分又是離子晶體，現階段只認為在氧化鋁是原子晶體中的乙個特例。至於說氧化鋁單獨熔化能導電，表現出離子晶體的特點，為強電解質還存在爭議。
氯化鋁是分子晶體，砷化鎵是原子晶體嗎？為什麼？兩個都是共價化合物？
4樓：第二個夏季
是的，是晶態化合物半導體，由共價鍵形成，是原子晶體，類比氯化鋁。
化學式 gaas。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不為非氧化性的酸侵蝕。
一種重要的半導體材料。屬ⅲ－ⅴ族化合物半導體。化學式gaas，分子量，屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數，熔點1237℃，禁頻寬度電子伏。
砷化鎵於1964年進入實用階段。砷化鎵可以製成電阻率比矽、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來製作積體電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由於其電子遷移率比矽大5～6倍，故在製作微波器件和高速數位電路方面得到重要應用。
用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫效能好、雜訊小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用於製作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料，但用它製作的晶體三極體的放大倍數小，導熱性差，不適宜製作大功率器件。
雖然砷化鎵具有優越的效能，但由於它在高溫下分解，故要生長理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。
氯化鋁（熔融狀態實際以al2cl6分子形式存在，不能導電；簡寫作alcl3（三氯化鋁））是共價化合物。
結構為是每乙個鋁原子分別和三個氯原子形成鋁氯單鍵，兩個鋁原子之間沒有單鍵連線。
因為alcl3為缺電子分子，al傾向於接受電子形成sp3雜化軌道，兩個alcl3分子間發生cl->al的電子對授予而配位，形成al2cl6分子。配位鍵是一種特殊的共價鍵，所以三氯化鋁是共價化合物。
不過嚴格點說應該是形成了氯橋鍵。兩個alcl3分子靠氯橋鍵（三中心兩電子鍵）結合起來形成al2cl6分子，這種氯橋鍵與b2h6的氫橋鍵結構相似。從價鍵理論的觀點（價鍵理論要求兩個原子之間通過各自提供乙個滿足要求的原子軌道的重疊來形成共價鍵）看，氯橋鍵仍然屬於共價鍵範疇。
所以al2cl6是共價化合物。
其實，學化學不一定非得刨根問底才學得好，有時候，基礎性。
的東西只須記。
電解熔融的氧化鋁和冰晶石的混合物，若有3.01x10的二十三次方電子轉移，那麼在陰極可得金屬鋁的質量是
5樓：網友
直鋒仔接用物派關係式銀螞汪。
al2o3---2al---6e
54 6molxx=
氧化鋁是原子晶體，共價化合物，不溶於水為何又是強電解質
6樓：員齊海津
氧化鋁。的的電解是真正意義上的「熔融兄鎮電解」嗎？其實，熔融的敬汪是冰晶石，氧化鋁只是分散質，分散於。
液態。的冰晶石中而已，熔液中的。
陰離子。是複雜的。
原子團。並非簡單氧。
離子。意思是說氧羨稿粗化鋁是在冰晶石的作用下。
電離。加入冰晶石的作用只是為了降低氧化鋁的熔點，從而。
節約能源。而並沒有說氧化鋁單獨熔化不能導電。
所謂。強電解質。
是說其在熔融狀態下導電，但在熔融狀態下導電的只有。
離子晶體。也就是說氧化鋁根據。
結構。分是原子晶體。
根據在熔融狀態下導電分又是離子晶體，現階段只認為在氧化鋁是原子晶體中的乙個特例。至於說氧化鋁單獨熔化能導電，表現出離子晶體的。
特點。為強電解質還存在爭議。
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