1樓：匿名使用者
1，這個問題大了吧，說不清楚呀 。好象一般是氣體，以為要形成離子束嘛2，效能是差不多的，但樓上的注意它們的原子量不一樣啊，你在考李舉慮吧，主題工 怎 麼選擇，我還得問下鬧擾如行家。我知道半導體廠裡是液啟兩種都需要的！
2樓：匿名使用者
as的注入深度較淺，用來做mos源漏，p的注入深度較深，用來做阱，兩種都有用棚脊，可能裝在不同用銷敬途的設鏈鬥滲備上，做源漏、做阱是不同的注入機！
3樓：匿名使用者
早期因安全問題 , b & p選擇氣態源， ,as ( 毒性強 ) 選擇固態源 . 固態源更局襲卜換 & 公升降溫比較費時 . 現在 ,負壓氣體鋼瓶 ( sds ) 技術成熟 , 新裝置的 as, b & p 皆選擇 sds 的氣態源 .
舊裝置要使桐穗用 sds 的氣態源 , 須更改氣體管件禪攔 & mfc .
離子注入的應用
4樓：奇巧又慎重丶彩霞
在電子工業中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術，也是控制mosfet閾值電壓的乙個重要手段。因此在當代製造大規模積體電路中，可以說是一種必不可少的手段。
離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質離子加速（對si，電壓≥105 v），獲得很大動能的雜質離子即可以直接進入半導體中；同時也會在半導體中產生一些晶格缺陷，因此在離子注入後需用低溫進行退火或雷射退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質濃度分佈一般呈現為高斯分佈，並且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內的一定深度處。
離子注入的優點是能精確控制雜質的總劑量、深度分佈和麵均勻性，而且是低溫工藝（可防止原來雜質的再擴散等），同時可實現自對準技術（以減小電容效應）。
離子源的離子源
5樓：彤泓
氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質濺射以及表面電離過程都能產生離子，並被引出成束。根據不同的使用條件和用途，目前已研製出多種型別的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源、pig離子源、雙等離子體離子源和雙彭源這些源都是以氣體放電過程為基礎的，常被籠統地稱為弧源高頻離子源則是由氣體中的念乎高頻放電來產生離子的，也有廣泛的用途。
新型重離子源的出現，使重離子的電荷態顯著提高，其中較成熟的有電子迴旋共振離子源 (ecr)和電子束離子源(ebis)。負離子源效能較好的有轉荷型和濺射型兩種。仔消悉在一定條件下，基於氣體放電過程的各種離子源，都能提供一橋兄定的負離子束流。
離子源是一門具有廣泛應用領域的學科，在許多基礎研究領域如原子物理、等離子化學、核物理等研究中，離子源都是十分重要不可缺少的裝置。
離子注入的原理
6樓：網友
離子注入技術又是近30年來在國際上蓬勃發展和廣泛應用的一種材料表面改性高新技術。其基本原理是：用能量為100kev量級的離子束入射到材料中去，離子束與材料中的原子或分子將發生一系列物理的和化學的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最後停留在材料中，並引起材料表面成分、結構和效能發生變化，從而優化材料表面效能，或獲得某些新的優異效能。
此項高新技術由於其獨特而突出的優點，已經在半導體材料摻雜，金屬、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上獲得了極為廣泛的應用，取得了巨大的經濟效益和社會效益。
離子注入的介紹
7樓：霧裡
離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現象叫返備做濺射；而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，悄擾或者穿出固體材料而去，這些現象叫做散射；另外有一種現象是，離子束射到固體材料以後，受到固體材啟世旦料的抵抗而速度慢慢減低下來，並最終停留在固體材料中的這一現象。
離子注入的具體原理是什麼
8樓：網友
簡單說，就是將所注入的氣體離子化成為帶正電荷的離子束。對離子束用磁場進行篩選後，得到所需要的注入離子，再加速撞擊到注入表面，達到注入離子的目的。
在這過程中，需要控制好真空度，一般需要超高真空。另外，需要控制好加速能量和注入角度，以控制注入的深淺程度。整個系統需要有精確的電流測量和計算，精密的機械運動控制。
因此，離子注入系統是集機械，真空，電子測量，計算機控制，高速資料採集和通訊等一體的複雜精密控制系統。
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a 植bai物對離子選擇吸收的特du性與其生活zhi環境相適應，環境中dao有什麼樣的離子 專植物細胞需屬要的 植物的細胞膜上就有相應的載體，a正確 b 不同離子的吸收需要不同的載體，載體體現了離子的選擇性，只有具備相應的載體，才能體現對離子選擇吸收的種類，b正確 c 根細胞膜上某種離子的載體的多少...
看到你回答的問題如何計算某一金屬離子開始沉澱和沉澱完全
設常溫下存在易水解的x 金屬離子和總體積vl的水，物質的量濃度為c x x oh n的溶度積常數為 ksp c x c oh k，設 c x c oh 的實際量為q 當q大到剛好等於k即為開始沉澱，這時c h c oh k c x 10 7，常溫下水的電離常數為10 14，可解得開始沉澱的c x 這...