1樓：誰是我的小公舉
化學位移：產生共振吸收峰的位移。
在有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子雲密度不同，導致共振頻率有差異，即產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。
影響因素包括以下：
1. 電負性
2. 各向異性效應
3. 氫鍵
4. 溶劑效應
5. 範德華效應
產生原因：
核周圍電子產生的感應磁場對外加磁場的抵消作用稱為遮蔽效應。核周圍的電子遮蔽效應是化學位移產生的主要原因。通常氫核周圍的電子雲密度越大，遮蔽效應也越大，從而需要在更高的磁場強度中才能發生核磁共振和出現吸收峰。
2樓：墨陌沫默漠末
化學位移是因原子內層電子結合能的變化而引起電子能譜圖上譜峰位置的移動。不同的化學環境主要指原子價態的變化、與不同電食性的原子或原子團相結合等。這些因素會造成原子核內電荷和核外電荷的分佈發生變化，使電子結合能改變零點幾至十幾個電子伏特，從而使譜峰位置變化。
在電子能譜分析中，常用來研究原子的化學成鍵及分子結構等。
(1)取代基的誘導效應和共軛效應;
(2)各向異性效應;
(3)氫鍵和溶劑效應。
化學位移是分析分子中各類氫原子所處位置的重要依據。δ值越大，表示遮蔽作用越小，吸收峰出現在低場; δ值越小，表示遮蔽作用越大，吸收峰出現在高場。
3樓：匿名使用者
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振訊號位置的變化，具體是用數字來進行表達（相對的，通常使用四甲基矽烷作為基準）。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很瞭解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。
影響因素可以表示為
內因：有吸電子基團的向低場移動（因為遮蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高）；共軛效應的向低場移動(如苯環上的h向低場移動)；還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間（不是苯環上）的h向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的h向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。
外因：溶劑，溫度（低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如dmf的）
4樓：匿名使用者
1、凡是影響遮蔽常數δ（電子雲密度）的因素都可以影響化學位移，即影響nmr吸收峰的位置。
2、誘導效應：分子與高電負性基團相連，分子電子雲密度下降（δ下降）產生共振所需磁場強度小吸收峰向低場移動。
3、共軛效應：使電子雲密度平均化，可以使吸收峰向高或低場移動。
5樓：匿名使用者
化學位移是nmr（核磁共振波譜）的術語。 表徵在不同化學環境下的不同 h-1, c-13, p-31, n-15等元素在波譜上出現的位置。
就外部因素來說， 氘代溶劑對化學位移有一定影響， 如用氘代氯仿和氘代dmso會導致同一h或c 的化學位移有變化， 但不是很大。
影響化學位移的主要因素是所測元素周圍的化學環境。 例如烯烴上的h或c的化學位移比飽和烷烴的h或c的化學位移要大的多， 即在低場出現。
更具體和詳細的內容請參考有關的波譜專著。
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