太陽能發電板,怎麼分辨是什麼矽的,或者非晶矽

2021-06-26 21:40:42 字數 5485 閱讀 3520

1樓:匿名使用者

目前太陽能板主要是單晶或多晶矽

非晶矽的用於電子或科研方面的多

怎麼區分單晶和多晶:

多晶矽是生產單晶矽的直接原料,是當代人工智慧、自動控制、資訊處理、光電轉換等半導體器件的電子資訊基礎材料。被稱為“微電子大廈的基石”。

在太陽能利用上,單晶矽和多晶矽也發揮著巨大的作用。雖然從目前來講,要使太陽能發電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,就必須提高太陽電池的光電轉換效率,降低生產成本。從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶矽、多晶矽、帶狀矽、薄膜材料(包括微晶矽基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。

從工業化發展來看,重心已由單晶向多晶方向發展,主要原因為;[1]可**太陽電池的頭尾料愈來愈少;[2] 對太陽電池來講,方形基片更合算,通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶矽可直接獲得方形材料;[3]多晶矽的生產工藝不斷取得進展,全自動澆鑄爐每生產週期(50小時)可生產200公斤以上的矽錠,晶粒的尺寸達到釐米級;[4]由於近十年單晶矽工藝的研究與發展很快,其中工藝也被應用於多晶矽電池的生產,例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極,採用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微米,高度達到15微米以上,快速熱退火技術用於多晶矽的生產可大大縮短工藝時間,單片熱工序時間可在一分鐘之內完成,採用該工藝在100平方釐米的多晶矽片上作出的電池轉換效率超過14%。據報道,目前在50~60微米多晶矽襯底上製作的電池效率超過16%。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方釐米多晶上效率超過17%,無機械刻槽在同樣面積上效率達到16%,採用埋柵結構,機械刻槽在130平方釐米的多晶上電池效率達到15.

8%單晶矽和多晶矽的區別是,當熔融的單質矽凝固時,矽原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶矽。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則形成多晶矽。多晶矽與單晶矽的差異主要表現在物理性質方面。

例如在力學性質、電學性質等方面,多晶矽均不如單晶矽。多晶矽可作為拉制單晶矽的原料。單晶矽可算得上是世界上最純淨的物質了,一般的半導體器件要求矽的純度六個9以上。

大規模積體電路的要求更高,矽的純度必須達到九個9。目前,人們已經能製造出純度為十二個9 的單晶矽。單晶矽是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料

非晶矽太陽能光伏電池好還是單晶矽太陽能電池板好?

2樓:咱就是過路的

如果光照充足還是單晶矽太陽能電池板好,如果是光照不足首選非晶矽太陽能電池好單晶矽轉換效率是18%非晶矽轉換效率是10%左右但非晶矽弱光充電好於單晶矽。

3樓:小歆嵩

根據需要來決定, 他們都有各自的優缺點。

單晶矽: 轉換率高決定其同樣功率面積比非晶矽小,。

非晶矽: 同樣功率,面積比單晶矽大, 但是它**更低, 更大的優勢是對弱光吸收性好, 同樣功率的非晶矽與單晶矽比, 一年下來要多發電12%左右。

4樓:匿名使用者

非晶矽太陽能光伏電池的轉換效率較低,優勢是外觀美觀,單晶矽太陽能電池板是光伏電池板裡轉換效率最高的太陽能電池板,相對來說,單晶矽太陽能電池板更適合。

為什麼非晶矽太陽能板比晶矽太陽能板還便宜 5

5樓:

轉化效率低:晶矽的轉化效率比非晶矽高約一倍,也就是說發1kwh的電能,非晶矽需要兩倍的佔地面積

壽命短:行業一般認為非晶矽的壽命為20年,而晶矽25年

這些明顯的劣勢導致非晶矽的**短時間內還不會高於晶矽

6樓:匿名使用者

1.“非晶矽太陽能板比晶矽太陽能板還便宜”是指直接材料成本。

2. 非晶矽的裝置初投資是巨大的,給產品帶來的折舊分攤較大,造成實際**比材料成本高出不少。

3. 對於使用者而言,投入產出比是重要的評價指標。在系統發電率(不是光電效率)近似的條件下,系統造價對光伏專案的內部收益率影響最大。

4. 在相同系統功率下,非晶矽面積大,與面積有關的成本會跟著增加(如支架和安裝)。要達到系統**近似的效果,元件必須要便宜。

目前來看晶體矽已經很便宜了(10元/瓦以下),非晶矽的**壓力很大。

5. 除非特定的應用場合,否則非晶矽必須比晶體矽低至少3元/瓦,才能在系統上持平,這還不包括系統的佔地面積成本。

7樓:

非晶就是不用矽晶,原材料是生產副產物,而晶片的**就不是一般的貴了。

但是非晶目前的傳輸效率不高

如何識別非晶矽太陽能電池?與多晶矽有啥區別 10

8樓:等待嬌花的粑粑

你這問題就錯了,太陽能板也就是光伏板才是用矽片製作的,單晶矽轉化率比多晶矽高一點,**也高一點。電池分為膠體免維護蓄電池 三元鋰電池等等

有人在用非晶矽太陽能板發電嗎?

9樓:匿名使用者

有啊,但是用單晶矽會好點,陰天也能發電,多晶矽估計就比較難咯,我幾家房子安裝的都是碩耐光能的單晶矽的,起碼冬天的時候也能發電

10樓:匿名使用者

用非晶矽太陽能板發電有的

非晶矽薄膜太陽能電池板的功率是多少?

11樓:匿名使用者

根據工藝不同,有效面積光電轉換效率6-8%(也就是元件功率為60-80瓦/平米)

其中高的都是下疊層摻了鍺的,再高就要做微晶了。

**都是按照功率計的,大約7~8元/瓦

非晶矽是沉積工藝生產的,沉積爐的尺寸限制了產品的尺寸。

因此,買到的產品基本上是定尺的。

非晶矽和晶體矽穩定性是怎樣的?有矽太陽能電池,不是說單質矽不存在嗎?困惑ing,謝謝解疑

12樓:匿名使用者

單質矽不存在自然界,需要從矽氧化物人工提煉出來;

非晶矽的衰減比較嚴重,穩定性大不如晶體矽

非晶矽與單晶矽和多晶矽的太陽能電池板區別?各自的優越性等

13樓:咕咚萌西

1、外觀區別

單晶矽電池的四個角呈現圓弧狀,表面沒有花紋;

多晶矽電池的四個角呈現方角,表面有類似冰花一樣的花紋;

非晶矽電池也就是我們平時說的薄膜元件,它不像晶矽電池可以看出來柵線,表面就如同鏡子一般清晰、光滑;

2、使用上面的區別

對於使用者來說,單晶矽電池和多晶矽電池沒有太大的區別,它們的壽命和穩定性都很好。

雖然單晶矽電池平均轉換效率要比多晶矽高1%左右,但由於單晶矽電池只能做成準正方形(四邊都是圓弧狀),因此當組成太陽能電池板的時候就會有一部分面積填不滿;而多晶矽是正方形,所以不存在這樣的一個問題,它們的優缺點具體如下:

晶矽元件:單塊元件功率相對較高。同樣佔地面積下,裝機容量要比薄膜元件高。但元件厚重易碎,高溫效能較差,弱光性差,年度衰減率高。

薄膜元件:單塊元件功率相對略低。但發電效能高,高溫效能佳,弱光效能好,陰影遮擋功率損失較小,年度衰減率低。應用環境廣泛,美觀,環保。

3、製造工藝區別

多晶矽太陽能電池製造過程中消耗的能量要比單晶矽太陽能電池少30%左右;

因此多晶矽太陽能電池佔全球太陽能電池總產量的份額大,製造成本也小於單晶矽電池,所以使用多晶矽太陽能電池將會更加的節能、環保;

非晶矽太陽電池的方法有很多種,包括等離子增強型化學氣相沉積,反應濺射法、輝光放電法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。

14樓:南霸天

單晶矽太陽電池

單晶矽太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池,它的構成和生產工藝已定型,產品已廣泛用於宇宙空間和地面設施。這種太陽電池以高純的單晶矽棒為原料,純度要求99.9999%。

為了降低生產成本,現在地面應用的太陽電池等採用太陽能級的單晶矽棒,材料效能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶矽材料,經過復拉制成太陽電池專用的單晶矽棒。將單晶矽棒切成片,一般片厚約0.

3毫米。矽片經過成形、拋磨、清洗等工序,製成待加工的原料矽片。

加工太陽電池片,首先要在矽片上摻雜和擴散,一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴散是在石英管制成的高溫擴散爐中進行。這樣就在矽片上形成p/n結。

然後採用絲網印刷法,將配好的銀漿印在矽片上做成柵線,經過燒結,同時製成背電極,並在有柵線的面塗覆減反射源,以防大量的光子被光滑的矽片表面反射掉,至此,單晶矽太陽電池的單體片就製成了。

單體片經過抽查檢驗,即可按所需要的規格組裝成太陽電池元件(太陽電池板),用串聯和並聯的方法構成一定的輸出電壓和電流,最後用框架和封裝材料進行封裝。使用者根據系統設計,可將太陽電池元件組成各種大小不同的太陽電池方陣,亦稱太陽電池陣列。目前市場上的單晶矽太陽電池的光電轉換平均效率為19%左右,個別公司最近推出的新產品普遍都超出這個值。

實驗室成果普遍在20%以上。用於宇宙空間站的還有高達50%以上的太陽能電池板。

多晶矽太陽電池

單晶矽太陽電池的生產需要消耗大量的高純矽材料,而製造這些材料工藝複雜,電耗很大,在太陽電池生產總成本中己超二分之一,加之拉制的單晶矽棒呈圓柱狀,切片製作太陽電池也是圓片,組成太陽能元件平面利用率低。因此,80年代以來,歐美一些國家投入了多晶矽太陽電池的研製。 目前太陽電池使用的多晶矽材料,多半是含有大量單晶顆粒的集合體,或用廢次單晶矽料和冶金級矽材料熔化澆鑄而成。

其工藝過程是選擇電阻率為100~300歐姆釐米的多晶塊料或單晶矽頭尾料,經破碎,用1:5的氫氟酸和硝酸混合液進行適當的腐蝕,然後用去離子水沖洗呈中性,並烘乾。用石英坩堝裝好多晶矽料,加人適量硼矽,放人澆鑄爐,在真空狀態中加熱熔化。

熔化後應保溫約20分鐘,然後注入石墨鑄模中,待慢慢凝固冷卻後,即得多晶矽錠。這種矽錠可鑄成立方體,以便切片加工成方形太陽電池片,可提高材質利用率和方便組裝。

多晶矽太陽電池的製作工藝與單晶矽太陽電池差不多,其光電轉換效率約12%左右,稍低於單晶矽太陽電池,但是材料製造簡便,節約電耗,總的生產成本較低,因此得到大量發展。隨著技術得提高,目前多晶矽的轉換效率也可以達到18%左右。

非晶矽太陽電池

非晶矽太陽電池是2023年有出現的新型薄膜式太陽電池,它與單晶矽和多晶矽太陽電池的製作方法完全不同,矽材料消耗很少,電耗更低,非常吸引人。製造非晶矽太陽電池的方法有多種,最常見的是輝光放電法,還有反應濺射法、化學氣相沉積法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。輝光放電法是將一石英容器抽成真空,充入氫氣或氬氣稀釋的矽烷,用射頻電源加熱,使矽烷電離,形成等離子體。

非晶矽膜就沉積在被加熱的襯底上。若矽烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼,即可得到n型或p型的非晶矽膜。襯底材料一般用玻璃或不鏽鋼板。

這種製備非晶矽薄膜的工藝,主要取決於嚴格控制氣壓、流速和射頻功率,對襯底的溫度也很重要。

非晶矽太陽電池的結構有各種不同,其中有一種較好的結構叫pin電池,它是在襯底上先沉積一層摻磷的n型非晶矽,再沉積一層未摻雜的i層,然後再沉積一層摻硼的p型非晶矽,最後用電子束蒸發一層減反射膜,並蒸鍍銀電極。此種製作工藝,可以採用一連串沉積室,在生產中構成連續程式,以實現大批量生產。同時,非晶矽太陽電池很薄,可以製成疊層式,或採用積體電路的方法制造,在一個平面上,用適當的掩模工藝,一次製作多個串聯電池,以獲得較高的電壓。

因為普通晶體矽太陽電池單個只有0.5伏左右的電壓,現在日本生產的非晶矽串聯太陽電池可達2.4伏。

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